隨著半導(dǎo)體電子技術(shù)的發(fā)展，陶瓷基板和金屬線路層。對(duì)于電子封裝而言，大功率、小尺寸LED器件的散熱要求越來越高，封裝基板起著承上啟下，連接內(nèi)外散熱通道的主要關(guān)鍵作用，同時(shí)兼有電互連和機(jī)械支撐等功能。因此成為LED封裝散熱基板材料的重要選擇。

 展至科技陶瓷基板在結(jié)構(gòu)與制作工藝而言，陶瓷基板又是可分為高溫共燒多層陶瓷基板（HTCC）、低溫共燒陶瓷基板（LTCC）、厚膜陶瓷基板（TFC）、直接敷銅陶瓷基板（DBC）、直接鍍銅陶瓷基板（DPC）等。 

其中直接敷銅陶瓷基板和直接鍍銅陶瓷基板僅有一字之差，那么這兩種到底又是什么不同之處。

一、工藝不同

1. 直接覆銅陶瓷基板（DBC）：是在銅與陶瓷之間加入氧元素，在1065~1083℃溫度間得到Cu-O共晶液，隨后反應(yīng)得到中間相（CuAIO2或CuAI2O4），從而實(shí)現(xiàn)Cu板和陶瓷基板化學(xué)冶金結(jié)合，最后就是通過光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)圖形制備形成電路。

   DBC可分為3層，中間絕緣材料是AI2O3或AIN。AI2O3的熱導(dǎo)率通常為24W/（m-k），AIN的熱導(dǎo)率則為170W/（m-k）。DBC基板的熱膨脹系數(shù)Al2O3/AlN相類似，非常接近LED外延材料的熱膨脹系數(shù)，可以顯著降低芯片與基板間所產(chǎn)生的熱應(yīng)力。

2.直接鍍銅陶瓷基板（DPC）：直接鍍銅陶瓷基板(DPC)是將陶瓷基板做預(yù)處理清潔，利用半導(dǎo)體工藝在陶瓷基板上濺射銅種子層，再經(jīng)曝光、顯影、蝕刻、去膜等光刻工藝實(shí)現(xiàn)線路圖案，最后再通過電鍍或化學(xué)鍍方式增加銅線路的厚度，移除光刻膠后即完成金屬化線路制作。

二、陶瓷基板DBC和DPC工藝區(qū)別

1、直接敷銅陶瓷基板（DBC）

優(yōu)點(diǎn)：由于銅箔具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱能力，而氧化鋁能有效控制Cu-Al2O3-Cu復(fù)合體的膨脹，使DBC基板具有近似氧化鋁的熱膨脹系數(shù)，因此，DBC具有導(dǎo)熱性好、絕緣性強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于IGBT、LD和CPV封裝。特別是由于銅箔較厚（100~600μm），在IGBT和LD封裝領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯。

缺點(diǎn)：

1）制備過程利用了在高溫下(1065℃)Cu與Al2O3間的共晶反應(yīng)，對(duì)設(shè)備和工藝控制要求高，使基板成本偏高；

2）由于Al2O3與Cu層間容易產(chǎn)生微氣孔，降低了產(chǎn)品抗熱沖擊性能，這些缺點(diǎn)成為DBC基板推廣的瓶頸。

2、直接鍍銅陶瓷基板（DPC）

優(yōu)點(diǎn)：

1）低溫工藝（300℃以下），完全避免了高溫對(duì)材料或線路結(jié)構(gòu)的不利影響，也降低了制造工藝成本；

2）采用薄膜與光刻顯影技術(shù)，使基板上的金屬線路更加精細(xì)（線寬尺寸20~30m，表面平整度低于0.3m，線路對(duì)準(zhǔn)精度誤差小于±1%），因此DPC基板非常適合對(duì)準(zhǔn)精度要求較高的電子器件封裝。

缺點(diǎn)：

1）電鍍沉積銅層厚度有限，且電鍍廢液污染大；

    2）金屬層與陶瓷間的結(jié)合強(qiáng)度較低，產(chǎn)品應(yīng)用時(shí)可靠性較低。