隨著電子行業(yè)上發(fā)展，DPC陶瓷基板技術(shù)也不斷在提高，那么DPC工藝主要分為氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板。DPC也是分單雙面板，如果是單面板一面是線路板層或者導(dǎo)電層，一面是光板。如果是雙面板，則雙面是金屬化銅或線路板層。在陶瓷基板無(wú)論是氧化鋁還是氮化鋁都是陶瓷絕緣層，也是導(dǎo)熱散熱層。

  其實(shí)DPC陶瓷基板可以解決這個(gè)問(wèn)題，因?yàn)樘沾杀旧砭褪墙^緣體，散熱性能也好，主要是DPC陶瓷基板可以將芯片直接固定在陶瓷上，不需要在陶瓷上面再做絕緣層了。

  DPC陶瓷基板由于其良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣鞋、低熱膨脹系數(shù)和成本不斷降低，在電子封裝特別是功率電子器件例如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、LD（激光二極管）、大功率LED（發(fā)光二極管）、CPV（聚焦型光伏）封裝中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。

一、DPC陶瓷基板的關(guān)鍵技術(shù)

1.金屬線路層與陶瓷基板的結(jié)合強(qiáng)度，由于金屬與陶瓷間熱膨脹系數(shù)差較大，為了降低界面應(yīng)力，需要在銅層與陶瓷間增加過(guò)渡層，從而提高界面結(jié)合強(qiáng)度。

由于過(guò)渡層與陶瓷間的結(jié)合力主要以擴(kuò)散附著及化學(xué)鍵為主，因此常選擇Ti、Cr和Ni等活性較高、擴(kuò)散性好的金屬作為過(guò)渡層（同時(shí)作為電鍍種子層）。

2.電鍍填孔，也是DPC陶瓷基板制備的關(guān)鍵技術(shù)，而目前DPC基板電鍍填孔大多采用脈沖電源。其技術(shù)優(yōu)勢(shì)包括了易于填充通孔，降低孔內(nèi)鍍層缺陷，表面鍍層結(jié)構(gòu)致密，厚度均勻，可采用較高電流密度進(jìn)行電鍍，提高沉積效率。

二、展至科技DPC陶瓷基板的核心應(yīng)用

1、IGBT封裝

絕緣柵雙極晶體管以輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高等特點(diǎn)，成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件發(fā)展主流。其應(yīng)用小到變頻空調(diào)、靜音冰箱、洗衣機(jī)、電磁爐、微波爐等家用電器，大到電力機(jī)車牽引系統(tǒng)等。由于IGBT輸出功率高，發(fā)熱量大，因此對(duì)IGBT封裝而言，散熱是關(guān)鍵。目前IGBT封裝主要采用DBC陶瓷基板，原因在于DBC具有金屬層厚度大，結(jié)合強(qiáng)度高(熱沖擊性好)等特點(diǎn)。

2、LD封裝

激光二極管(LD)又稱半導(dǎo)體激光器，是一種基于半導(dǎo)體材料受激輻射原理的光電器件，具有體積小、壽命長(zhǎng)、易于泵浦和集成等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于激光通信、光存儲(chǔ)、光陀螺、激光打印、測(cè)距以及雷達(dá)等領(lǐng)域。溫度與半導(dǎo)體激光器的輸出功率有較大關(guān)系。散熱是LD封裝關(guān)鍵。由于LD器件電流密度大，熱流密度高，陶瓷基板成為LD封裝的首選熱沉材料。

3、LED封裝

縱觀LED技術(shù)發(fā)展，功率密度不斷提高，對(duì)散熱的要求也越來(lái)越高。由于陶瓷具有的高絕緣、高導(dǎo)熱和耐熱、低膨脹等特性，特別是采用通孔互聯(lián)技術(shù)，可有效滿足LED倒裝、共晶、COB(板上芯片)、CSP(芯片規(guī)模封裝)、WLP(圓片封裝)封裝需求，適合中高功率LED封裝。

4、光伏(PV)模組封裝

  光伏發(fā)電是根據(jù)光生伏特效應(yīng)原理，利用太陽(yáng)能電池將太陽(yáng)光直接轉(zhuǎn)化為電能。由于聚焦作用導(dǎo)致太陽(yáng)光密度增加，芯片溫度升高，必須采用陶瓷基板強(qiáng)化散熱。實(shí)際應(yīng)用中，陶瓷基板表面的金屬層通過(guò)熱界面材料(TIM)分別與芯片和熱沉連接，熱量通過(guò)陶瓷基板快速傳導(dǎo)到金屬熱沉上，有效提高了系統(tǒng)光電轉(zhuǎn)換效率與可靠性。 結(jié)合應(yīng)用來(lái)看DPC陶瓷基板的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。