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展至科技氮化鋁陶瓷基板解決了深紫外LED散熱問題?

 時間:2021-11-19     瀏覽:2621     分享

  如今隨著國內外LED行業(yè)上不斷高效率、高密度、大功率等方向發(fā)展,也是整體國內LED突飛猛進的發(fā)展市場。如功率也是越來越大,開發(fā)性能的散熱材料已經(jīng)成為解決LED的散熱問題。

 

  UV LED光源基本是通過陶瓷技術中,采用低熱阻的氮化鋁陶瓷基板實現(xiàn)了高散熱性,因為基于高散熱性實現(xiàn)了LED元件的高密度安裝,才使得UV LED光源可以在高功率輸出光線。為了使UV LED結溫保持在較低溫度下,必須要采用高熱導率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝,才能降低UV LED總體的封裝熱阻。


  如今企業(yè)對產(chǎn)品的制作工藝已經(jīng)非常成熟,但是一般采用干壓和等靜壓成型,經(jīng)高溫燒結后而成的產(chǎn)品,工藝精良、質量穩(wěn)定、機械強度高。那么最后如何去解決深紫外LED散熱問題呢?

  深紫外UV LED在殺菌消毒、生化檢測、醫(yī)療健康等領域上廣泛使用價值,主要是在殺菌消毒領域上,深紫外UV LED主要是利用高能量紫外線照射微生物并且破壞核酸結構,甚至還能達到微生物滅活功能。最近疫情下深紫外UV LED消毒是一種有效消滅新冠病毒的方法,也是被廣泛公共場所、交通工具、個人防護等領域使用。


  深紫外UV LED具有很多優(yōu)勢并且可被市場認可和采納,但是也存在很多問題甚至影響使用,比如封裝材料老化情況嚴重、電光轉化效率極低、發(fā)熱嚴重、價格昂貴等。

  需要了解散熱問題首先要知道,深紫外中散熱是跟光提取效率離不開關系,因為在界面折射率突變等問題。才導致大部分深紫外UV LED光無法從芯片中逃逸出來,是一部分光被困在封裝腔體內。還有深紫外UV LED芯片的側壁光量較高,在傳統(tǒng)封裝結構上是無法將深紫外UV LED側壁光傳導出來,才會導致光量降低。


  由于深紫外UV LED光電轉化效率低,所以才導致大部分熱量還無法從表面進行散熱,進一步加快對芯片的傷害。如果芯片結溫較高,容易導致芯片性能降低,甚至還會失效。

  現(xiàn)階段深紫外UV LED有效散熱的唯一途徑就是氮化鋁陶瓷基板的導熱率高,比氧化鋁基板差不多高10,而氮化鋁陶瓷基板還有非常優(yōu)良的絕緣性,熱膨脹系數(shù)與芯片材料相匹配,能滿足深紫外UV LED高散熱的需求。而且陶瓷材料具有優(yōu)秀的抗紫外性能,抗老化表現(xiàn)優(yōu)秀,能有進一步延長深紫UV LED的使用周期。


  以上就是深紫外UV LED散熱問題解答,作為一種新型紫外光源具有廣泛的市場應用價值,所以氮化鋁陶瓷基板在這領域上發(fā)揮很大作用。


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