市場上從結構與制作工藝而言，陶瓷基板又可分為高溫共燒多層陶瓷基板（HTCC）、低溫共燒陶瓷基板（LTCC）、厚膜陶瓷基板（TFC）、直接敷銅陶瓷基板（DBC）、直接鍍銅陶瓷基板（DPC）等。

而其中直接敷銅陶瓷基板和直接鍍銅陶瓷基板僅有一字之差，但卻是兩種不同的陶瓷基板制備技術，今天我們來看一看這兩種陶瓷基板各蘊含著怎樣的玄機。

直接鍍銅DPC陶瓷基板是將陶瓷基板做預處理清潔，利用半導體工藝在陶瓷基板上濺射銅種子層，再經曝光、顯影、蝕刻、去膜等光刻工藝實現(xiàn)線路圖案，最后再通過電鍍或化學鍍方式增加銅線路的厚度，移除光刻膠后即完成金屬化線路制作。

直接鍍銅DPC陶瓷基板主要優(yōu)缺點：

1.優(yōu)點：

低溫工藝（300℃以下），完全避免了高溫對材料或線路結構的不利影響，也降低了制造工藝成本；

采用薄膜與光刻顯影技術，使基板上的金屬線路更加精細（線寬尺寸20~30m，表面平整度低于0.3m，線路對準精度誤差小于±1%），因此DPC陶瓷基板非常適合對準精度要求較高的電子器件封裝。

2.缺點：

電鍍沉積銅層厚度有限，且電鍍廢液污染大；

金屬層與陶瓷間的結合強度較低，產品應用時可靠性較低。

直接鍍銅DPC陶瓷基板：

1）金屬線路層與陶瓷基片的結合強度是影響DPC陶瓷基板可靠性的關鍵。由于金屬與陶瓷間線膨脹系數(shù)差較大，為降低界面應力，需要在銅層與陶瓷間增加過渡層，從而提高界面結合強度。由于過渡層與陶瓷間的結合力主要以擴散附著及化學鍵為主，因此常選擇Ti、Cr和Ni等活性較高、擴散性好的金屬作為過渡層(同時作為電鍍種子層)。

2）電鍍填孔也是DPC陶瓷基板制備的關鍵技術。目前DPC陶瓷基板電鍍填孔大多采用脈沖電源，其技術優(yōu)勢包括：易于填充通孔，降低孔內鍍層缺陷；表面鍍層結構致密，厚度均勻；可采用較高電流密度進行電鍍，提高沉積效率。