半導體器件用在基板上材料性能要求，半導體封裝基板材料是承載電子元件及其相互聯線，并具有良好的電絕緣性的基體。氮化硅陶瓷基板材料應具有以下性能特點： 

    1. 良好的絕緣性及抗電擊穿能力；

     2. 高熱導率：導熱性直接影響半導體期間的運行狀況和使用壽命，散熱性差所導致的溫度場分布不均勻也會是電子器件噪聲大大增加；

     3. 熱膨脹系數與封裝內其他所用材料相互匹配；

     4. 良好的高頻特性：即低的介電常數和低的介質損耗；

     5. 表面光滑，厚度一致：便于在基板表面印刷電路，并確保印刷電路的厚度均勻：

     半導體正沿著大功率、高頻化、集成化方向發展。半導體器件在風力發電、太陽能光伏發電、電動汽車、LED照明等領域都有廣泛的應用。氮化硅陶瓷基板作為電子元器件在LED照明散熱領域起著非常重要的作用。

     目前常用的基板材料包括：陶瓷基片、玻璃陶瓷基片、金剛石、樹脂基片、硅基片以及金屬或金屬復合材料等。其中陶瓷由于具有絕緣性好、化學性質穩定、熱導率高、高頻特性好等優點而受到應用。國內對陶瓷電路基板的需求也非常巨大，以氧化鋁陶瓷基板為例，目前我國的需求量每年超過100萬平方米，而其中90%依賴進口。

     氮化硅陶瓷基板具有硬度大、強度高、熱膨脹系數小、高溫蠕動小、抗氧化性能好、熱腐蝕性能好、摩擦系數小、與用油潤滑的金屬表面相似等諸多優異性能，是綜合性最好的結構陶瓷材料。單晶氮化硅的理論熱導率可達400W/(m.k),具有成為高熱導基片的潛力。 此外氮化硅的熱膨脹系數為3.0乘以10-6/攝氏度左右，與SI.SIC和caas等材料匹配良好，這使得氮化硅陶瓷電路板基片將成為一種具有吸引力的高強度導熱電子器件基板資料。

     與其它陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷基板材料具有明顯優勢，尤其是高溫條件下氮化硅陶瓷材料表現出的耐高溫性能、對金屬的化學惰性、超高的硬度和斷裂韌性等力學性能。以下是氮化硅、氮化鋁、三氧化二鋁三種陶瓷基板材料的性能比較。