隨著第三代半導體功率器集成度和功率密度的明顯提高，相應工作產生的熱量急劇增加。因此，半導體電子封裝系統的散熱問題已成為影響其性能和壽命的關鍵，要有效解決器件的散熱問題，必須現在高導熱性的陶瓷基板材料。

半導體功率器件是于電力電子技術及其應用裝置的基礎，也是推動電力電子變換器發展的主要源泉。半導體功率器件處于現代電力電子變換器的心臟地位，在它對裝置的可靠性、成本性和性能起著十分重要的作用。

半導體功率器件幾乎用于所有的電子制造業，也是目前半導體功率的應用范圍已從傳統的工業控制和4C產業（計算機、通信、消費類電子產品和汽車），擴展到新能源、軌道交通、智能電網等新領域。在半導體功率器件使用過程中還是需要考慮顛簸、震動等復雜應用條件，這是對陶瓷基板等材料機械力學性能和可靠性提出了更高要求。在陶瓷基板其具備了高強度、高導熱、耐高溫、抗氧化、熱膨脹系數低和抗熱震等熱、力性能，同時具有較好的氣密性，可隔離水汽、氧氣和灰塵等特點，成為大功率半導體器件基板的最佳材料，被廣泛應用到半導體功率集成電路中。

陶瓷基板的特點要求：

1. 優異的熱導率,高的熱導率代表了優異的散熱性能，直接影響功率器件的運行狀況和使用壽命 ； 

2. 高的力學性能，尤其材料抗彎強度和斷裂韌性對功率器件可靠性有直接影響 ； 

3. 良好的絕緣性和抗電擊穿能力 ； 

4. 低的熱膨脹系數，與SiC襯底在熱膨脹系數的匹配上具有其他陶瓷 不可替代的優勢 ； 

5. 良好的高頻特性，即低的介電常數和低的介質損耗 ； 

6. 表面光滑，厚度一致,便于在基板表面印刷電路，并確保印刷電路的厚度均勻。

半導體功率器件的制造商離不開電子封裝，電子封裝為芯片和電子元件提供機械支撐及環境保護，實現電互聯和信號傳輸提供快速散熱通道，讓器件能更好的發揮各項性能。其中，電子封裝用基板材料要求具有低成本、易加工、高導熱性與絕緣等特性，而陶瓷基板材料憑借其極好的耐高溫、耐腐蝕、熱導率高、機械強度高、熱膨脹系數與芯片相匹配及不易劣化等特性成為大功率、高密度、高溫及高頻器件封裝的首選。

目前，用在半導體功率器件領域的陶瓷基板材料主要為氧化鋁、氮化鋁、氮化硅等，三者在性能、工藝、成本等方面各有優勢及不足，而具體的材料選擇以及發展方向，是由下游功率半導體模塊提出的需求決定的。其中，作為大功率電子半導體模塊的優勢材料，氮化鋁和氮化硅陶瓷基板，目前仍舊還處于不相伯仲的競爭狀態。

氮化鋁陶瓷基板的優勢在于其它基板的熱導率，而氮化硅陶瓷基板的優勢在于綜合性能優秀，它的熱導率比氮化鋁低，但它的抗彎強度更高，與此同時，與第三代半導體SiC的熱膨脹匹配性更好。而在當前SiC芯片極度缺芯的態勢下，陶瓷基板制造商在具體應用過程中，又會對陶瓷基板材料提出了怎樣的進展方向需求？