氮化鋁陶瓷基板主要有優異的電性能和熱性能，也被認為是最具有前途的高熱導陶瓷基板材料。主要是為封裝結構的密封，元器件搭載及輸入、輸出端子的連接等目的，在氮化鋁陶瓷基板表面及內部都需要金屬化。

陶瓷表面金屬化的可靠性和性能對陶瓷基板的應用有著重要的影響，牢固的結合強度和優良的氣密性是最基本的要求。為了考慮到基板的散熱性，還要求金屬和陶瓷界面處能夠具有較高的熱導率。氮化鋁陶瓷基板表面的金屬化方法有：薄膜法、厚膜法、高熔點金屬化法、化學鍍、直接覆銅法等。

在功率模塊是指將多個功率器件芯片以絕緣方式裝到金屬基板上進行模塊化封裝的功率半導體產品，無論是IGBT模塊還是DC大功率模塊，散熱材料都是其重要“伴侶”之一，大功率半導體模塊在工作中會產生非常大的熱量，無論是在工程師采用那種散熱方式都是必須將熱量先從發熱源導出，將熱傳遞材料則是起到了橋梁的作用，而氮化鋁陶瓷基板無疑是最好的散熱基板選擇。

氮化鋁陶瓷基板是以氮化鋁（AIN）為主要的一種特殊陶瓷，晶體以四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系?；瘜W組成AI65.81%、N34.19%，比重為3.261g/cm3，氮化鋁陶瓷片通常成品陶瓷件顏色為白灰色或灰白色，熱膨脹系數（4.0-6.0）X10（-6）/℃。導熱系數高達210W/(m.k)，是氧化鋁陶瓷基板導熱效率的5-8倍，能耐2200℃以上的高溫。氮化鋁陶瓷基板具有熱導率高、機械性能穩定強和優點的電氣絕緣性能，具有極高的絕緣電阻和低的介質損耗，也是新一代大規模集成電路以及功率電子產品的理想導熱陶瓷基板材料。

氮化鋁陶瓷基板選用了高純度氮化鋁粉體燒結，經干壓成型加工，使陶瓷基板具備耐高溫磨損、導熱絕緣等性能，在進行激光進行陶瓷基板激光切割精加工處理，使其成為適合大功率模組散熱使用的導熱材料。