隨著進入二十二世紀以來，在提高能源效率與降低能源消耗已經(jīng)成為全球范圍內(nèi)一個非常關鍵的問題。在碳化硅陶瓷基板成為第三代半導體高壓領域理想材料，而第一代半導體以硅為主要材質。那么碳化硅基板功率器件結構設計和制造工藝逐步完善，其中碳化硅基板在半導體已經(jīng)開始在多個工藝領域得到了廣泛應用。

如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。以碳化硅為材料的功率模塊具備低開關損耗、高環(huán)境溫度耐受性和高開關頻率的特點，因此采用碳化硅材料的新一代電控效率更高、體積更小并且重量更低。

及未來2025年碳化硅陶瓷基板功率半導體的市場規(guī)模有望達到30億美元，在未來的10幾年內(nèi)，碳化硅器件將開始大范圍地應用于工業(yè)及電動汽車領域。未來碳化硅在功率半導體領域有很大的應用潛力。

目前碳化硅主流尺寸處于4英寸向6英寸過渡階段，單晶尺寸的增加往往會伴隨著結晶質量的下降，碳化硅襯底從1~8英寸不等，主流尺寸為4~6英寸。由于尺寸越大，生產(chǎn)效率越高，但生產(chǎn)品質控制難度越高，因此目前6英寸主要用于二極管，4英寸主要用于MOSFET。由于6英寸的硅晶圓產(chǎn)線可以升級改造成用于生產(chǎn)SiC器件，所以預計6英寸SiC襯底的高市占率會維持較長時間。

功率器件是化合物半導體的主要應用之一，隨著各國逐步推進電動車等新能源汽車，同時智能駕駛、車聯(lián)網(wǎng)帶動汽車硅含量提升，將是車規(guī)級功率、射頻器件的主要驅動力。

   目前碳化硅陶瓷基板半導體仍處于發(fā)展初期，晶圓生長過程中易出現(xiàn)材料的基面位錯，以致碳化硅器件可靠性下降。另一方面，晶圓生長難度導致碳化硅材料價格昂貴，預計想要大規(guī)模得到應用仍需一段時期的技術改進。