近年來，半導體器件沿著大功率化、高頻化、集成化的方向迅猛發展。半導體器件工作產生的熱量是引起半導體器件失效的關鍵因素，而絕緣基板的導熱性是影響整體半導體器件散熱的關鍵。

而這些年來已經有大規模生產、應用較為廣泛的陶瓷基板主要有：AI2O3、AIN、Si3N4、SiC、BeO等。同時，氮化硅陶瓷基板的熱導率遠大于氧化鋁陶瓷，碳化硅MOSFET在新能源汽車的核心電機驅動中，采用了碳化硅MOSFET器件比傳統碳化硅IGBT帶來5%~10%的續航提升。

如今在應力方面，熱膨脹系數與硅很接近，在整個模塊內部應力較低，從而提高了高壓的IGBT模塊的可靠性。氮化硅陶瓷覆銅板因其可以焊接更厚的無氧銅以及更高的可靠性，在未來新能源汽車領域上用于高可靠功率模塊中應用比較廣泛。無論是氧化鋁、氮化鋁還是氮化硅等陶瓷基板，均需要根據IGBT需求規格進行選材，并且采用合適的覆銅工作制成板材。

氮化硅是一組具有高強度、斷裂韌性、硬度、耐磨性和良好的化學和熱穩定性的先進工程陶瓷板。它是一種重要的結構陶瓷材料，具有高硬度、固有潤滑性、耐磨性、耐高溫、抗氧化用作高檔耐火材料。氮化硅陶瓷基板材料具有熱穩定性高、抗氧化性強、產品尺寸精度高等優良性能，由于氮化硅是一種鍵合強度高的共價化合物，它在空氣中能形成一層氧化物保護膜，還具有良好的化學穩定性，在1200℃以下不會被氧化。

氮化硅陶瓷物理特性Si3N4是以共價鍵為主的化合物，鍵的方向性強，結構中缺陷的形成和遷移需要的能量大，即缺陷擴散系數低（缺點），難以燒結，其中共價鍵Si-成分為70%，離子鍵為30%，同時由于Si3N4本身結構不夠致密，從而為提高性能需要添加少量氧化物燒結助劑，通過液相燒結使其致密化。

非氧化物燒結助劑的優勢在于可以減少額外引入的氧，這對于凈化氮化硅晶格，減少晶界玻璃相，提高熱導率及高溫性能具有重要的意義。3種陶瓷基板材料性能對比相比于其他陶瓷材料來說，氮化硅陶瓷基板具有許多優異的特性，比如具有較高的理論熱導率、良好的化學穩定性能、無毒、較高的抗彎強度和斷裂韌性等。

以上所述氮化硅陶瓷基板對于新能源汽車再適合不過的，氮化硅陶瓷板可以適應高溫高壓的工作環境。能及時散去電源系統中的高熱量，能適應汽車內部惡劣的環境，保證各大功率負載的正常運行的同時還能保護芯片正常工作。延長電子設備的使用周期，節約更多空間為新能源汽車提供更多可能性。